同軸電纜的屏蔽衰減因素

同軸電纜的屏蔽衰減因素

物理發(fā)泡聚乙烯同軸電纜的屏蔽衰減主要取決于以下幾個(gè)因素：

1：鋁箔搭接寬度不少于5mm。

2：鋁層厚度建議提高到15μm以上，甚至可以更高到30μm。

3：鋁箔質(zhì)量要好，尤其柔韌性好，經(jīng)過各種彎曲而無裂紋。

4：合理安排回波，屏蔽和衰減的關(guān)系，后者和前2者相互矛盾，在衰減合格條件下合理降低發(fā)泡度，對提高屏蔽效果和回波都有利。 

5：編織的縱包工藝要提高，以免帶子中間褶皺，形成縫隙或者減少了搭接寬度，引起泄露。

6：合理的編織密度。高密度對屏蔽有少許補(bǔ)償，但是如果編織密度過高，在高頻時(shí)，大密度編織電纜使得“邊頻差值"增大，從而放大補(bǔ)償?shù)碾y度加大，對電纜性能產(chǎn)生影響。一般40%即可。

7：電纜的敷設(shè)過程要避免在小孔或者狹縫中強(qiáng)拉，使鋁箔產(chǎn)生裂紋或斷裂。